，三星电子去年开始将DDR5 DRAM商业化，这是业界第一个应用高K金属栅极工艺开发的DRAM技术。
分析师Tech Insights表示，三星电子已经向祁智提供了基于高k金属栅极(HKMG)技术的Dr5DRAM内存颗粒。
“我们已经确认三星电子的HKMG DDR5 DRAM用于琪琪三叉戟Z5系列产品”。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
TechInsights一直在拆解市场上的各种IT产品，分析设备中嵌入的芯片的信息。通过这次拆解，TechInsights揭示了三星电子HKMG DDR5 DRAM的量产产品，并发布了其内部电路的照片。
IT之家了解到，三星电子在去年3月首次宣布研发成功DDR5 DRAM，并在业界首次实现了HKMG工艺的大规模应用。据介绍，DDR5的数据处理速度是DDR4的两倍，最开始可以达到4800MHz，容量也会有所提升，但延迟会相对上升。
HKMG技术传统上用于逻辑半导体器件。与传统材料技术相比，HKMG可以显著改善渗漏情况。三星曾表示，这项技术可以降低约13%的内存功耗，对于注重能效的数据中心等应用具有重要意义。但三星并未透露内存的实际商用情况，只是表示，“我们计划在下一代产品中根据客户需求及时实现内存商用。
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