从本月开始，PCIe 5.0 SSD固态硬盘将陆续上市对于用户来说，完全可以观望，因为厂商的难过日子会带来更多的新技术和新利益

现在，三星宣布将开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V—NAND该方案可以带来2400MTps的传输速度

得益于更大的存储容量V—NAND V8闪存厚度仍然可以控制在合理的水平，512GB的封装容量不超过0.8mm，可以用于新一代智能手机

按照三星的说法，与现有同等容量的闪存芯片相比，新一代3D NAND可以提高20%的单晶生产率，从而进一步降低成本，这可能意味着大家有望购买同等容量的更便宜的SSD。

未来，三星的V—NAND闪存堆栈的层数将进一步提高路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限可是，三星仍在努力突破，终于可以制造1000层堆栈的3D闪存

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